近年来TiNi形状记忆合金以其良好的形状记忆效应、超弹性、防腐蚀性及良好的生物相容性等而被广泛应用于航空航天、电子、机械及生物医学等领域；而磁控溅射方法的发展则使得TiNi合金薄膜成为微机电系统（MEMS）领域的研究热点。研究溅射工艺、热处理工艺与薄膜成分、相变过程、显微结构及力学性能之间的关系有助于充分发挥薄膜的这些性能。目前对于溅射工艺的研究主要集中在溅射压强等参数上，而对靶基距对其影响的研究则较少，本文将主要研究溅射参数（靶基距和溅射压强）、热处理条件对薄膜成分、显微结构及性能的影响，探究两溅射参数之间的制约关系。首先利用直流磁控溅射方法，在不同的靶基距（d）和溅射压强（P）下制备出不同成分的TiNi薄膜，利用EDX能谱分析技术对薄膜成分进行分析。结果表明，薄膜中Ni含量随着靶基距的增加而降低，低靶基距时不同溅射压强下制备的薄膜Ni含量降低的程度不同，而高靶基距时Ni含量降低的程度趋于一致；另外，Ni含量随着溅射压强的增加先升高后降低，不同靶基距下开始降低的压强值不同；由此我们得出改变溅射压强和靶基距都会对薄膜的成分产生影响，并且两者相互制约，高靶基距减弱了压强带来的影响。为了研究薄膜的显微结构及力学性能，我们首先采用退火热处理使其晶化，利用X射线衍射仪及透射电子显微镜对退火后的薄膜进行了显微结构分析，结果表明，不同靶基距、溅射压强以及退火时间下，不仅薄膜的晶化温度会有很大差异，薄膜的显微结构、相变温度也有很大不同。最后，我们利用纳米压痕仪对靶距56mm时不同溅射压强下制备薄膜的力学性能进行了分析，并计算了薄膜的相变伪弹性能，结果表明，溅射压强影响薄膜的成分及力学性能和相变伪弹性，两者均随压强的增加先升高后降低。