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Au/Si和Au/SiO2衬底上GaN薄膜的低温沉积及性能研究
【摘 要】
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氮化镓(GaN)属于III族氮化物,物理和化学性质稳定,光学带隙能量较高,并且具有高电子饱和速率、高击穿场和高载流子迁移率,在高频和高功率应用方面具有独特的优势,广泛用于光电子和微电子器件等领域。为得到质量良好的GaN薄膜和改善工艺难度,本实验以镀金硅(Au/Si)和镀金石英(Au/SiO_2)为衬底,采用可低温沉积的电子回旋共振-等离子增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)设备沉积
【机 构】
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大连理工大学
【出 处】
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大连理工大学
【发表日期】
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2020年02期
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