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磁性材料和半导体材料在当今的高技术信息领域发挥着重要的作用。通过设计将磁性和半导体这两种材料的性能特征融合在一起,一种新型的信息材料,即所谓的磁半导体材料在1988年被首次报道出来。我们设计了一种化合物,含有稀土元素、过渡族金属和Ge或Ga。这里的过渡族金属作为磁性元素,稀土元素用于通过4f-3d电子之间的相互作用来调制磁有序和磁各向异性。依据之前对RT2M2(R稀土元素；T：过渡族金属；M:Si or Ge)化合物的研究结果,本文选择NdNi2Ge2、 NdCo2Ge2、 LaNi2Ge2和LaCo2Ge2作为研究对象。采用高纯氩气保护的非自耗电弧熔炼法制备。利用TREOR和PIRUM程序对衍射峰进行指标化。Rietveld结构精修结果表明RT2M2系列化合物呈四方ThCr2Si2型结构,空间群为I4/mmm。 NdNi2Ge2、 NdCo2Ge2、 LaNi2Ge2和LaCo2Ge2的晶格常数分别为a=4.120(1)A,c=9.835(0)A；a=4.039(8)A,c=10.151(1)A；a=4.189(2)A,c=9.907(2)A；a=4.105(6)A,c=10.264(7)A,α,p和γ为90°。稀土元素(Nd或La)占据2a(0,0,0)位置,过渡族金属(Ni或Co)占据4d(0,1/2,1/4)位置,Ge占据4e(O,0,z)位置。采用超导量子干涉仪和标准四点法测量了磁性能和电性能。磁测量结果显示NdNi2Ge2呈顺磁性,NdCo2Ge2呈反铁磁性且在室温下发生了磁转变。LaNi2Ge2口LaCo2Ge2均呈铁磁性且居里温度高于室温。电测量结果显示所有样品均属半金属性。我们之前的研究结果表明Nd-Ga-M(M=金属元素如Ni,Cu)金属间化合物通过注入磁性元素而具有良好的电子输运性能,并具有作为新型磁半导体材料潜在应用的可能。因此,我们注重研究Nd-Ga-M系列化合物。本文介绍了Nd-Ga化合物的制备技术和三元相结构分析。利用电弧熔炼法制备了NdGa3_xMnx和NdGa3-xTix(x=0.1,0.3,0.5和0.7)化合物。利用X射线衍射技术对相组成进行了分析,并用TREOR和PIRUM程序对主相进行指标化。计算了所有NdGa3-xMnx和NdGa3-xTix(x=0.1,0.3,0.5和0.7)化合物主相的晶体结构、晶胞体积和晶格常数。最后,指出了本文研究中的问题和挑战。