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近年来,GaN及其合金材料以其优异的物理与化学特性在蓝绿光发光二极管、激光器,以及高温、大功率、高频电子器件方面有着广阔的应用前景。常规的氮化镓基器件通常是制作在蓝宝石上的。然而,由于蓝宝石衬底自身绝缘且硬度大,器件工艺复杂,制作成本费用高;而且由于它导热性能差,不利于大功率器件的制作;硅衬底则可以克服这些不足。 本论文总结了国内外GaN基材料与器件的研究历史、现状以及存在的问题,利用自行设计并制造的MOCVD系统,采用特殊的缓冲层技术,在Si衬底上成功生长了高质量的GaN