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近年来，GaN及其合金材料以其优异的物理与化学特性在蓝绿光发光二极管、激光器，以及高温、大功率、高频电子器件方面有着广阔的应用前景。常规的氮化镓基器件通常是制作在蓝宝石上的。然而，由于蓝宝石衬底自身绝缘且硬度大，器件工艺复杂，制作成本费用高；而且由于它导热性能差，不利于大功率器件的制作；硅衬底则可以克服这些不足。 本论文总结了国内外GaN基材料与器件的研究历史、现状以及存在的问题，利用自行设计并制造的MOCVD系统，采用特殊的缓冲层技术，在Si衬底上成功生长了高质量的GaN