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本文主要介绍了电化学振荡的可调控性及其在三维有序纳米阵列结构制备中的应用。基于可调控电化学振荡以及电化学振荡与三维结构存在密切的对应关系,制备了InP三维有序阵列结构材料。通过施加干扰调控电化学振荡行为,探索InP三维有序阵列结构内部的缺陷设计和制备。利用双光束双曝光制备掩膜,实现诱导电化学刻蚀InP制备多孔结构并去除不规则多孔结构。分析了双光束双曝光得到的掩膜特征尺寸和周期对电化学刻蚀InP多孔结构形貌的影响。分析电化学刻蚀InP过程中出现的径向多孔结构簇的形成原因,并利用空间电荷层理论分析孔壁的成因。