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采用传统的固相反应法以碳酸钡，碳酸钠，氧化铋以及二氧化钛等为原料，制备了高居里温度无铅(Ba， Bi，Na)TiO3基正温度系数(PTCR)半导体陶瓷。通过在BaTiO3中固溶不同含量的Bi1/2Na1/2TiO3和半导化及液相烧结助剂，显著地提高了材料的居里温度，获得了居里温度为190℃，室温电阻率达到811Ω·cm，升阻比为3*104的无铅(Ba，Bi，Na)TiO3基PTCR。随着固溶量的提高，材料的居里温度也随之提高，制备出了居里温度为226℃，室温电阻率为3.76*106Ω.cm，升阻比为102的PTCR。可以看出，Bi1/2Na1/2TiO3的固溶量的提高导致了陶瓷的室温电阻率急剧升高。为降低室温电阻率，研究了(Ba， Bi，Na)TiO3基PTCR中掺入不同施主掺杂浓度的Nb2O5对材料的微观结构及电性能的影响，发现Nb2O5的施主掺杂量存在一个临界值，在临界掺杂浓度下，获得了晶粒发育良好、大小均匀，且电性能优异的陶瓷样品。同时为进一步改善和提高(Ba， Bi，Na)TiO3基陶瓷的PTC效应，对Nb5+、Mn3+施受主共掺杂的(Ba， Bi，Na)TiO3陶瓷的PTC特性进行了研究。利用交流阻抗谱分析了陶瓷材料微观电性能，研究了晶粒电阻和晶界电阻的特性及其随温度的变化规律。