本文分别采用两步电化学方法和水热法在ITO导电玻璃基底上制备了一维ZnO纳米管阵列和一维ZnO纳米棒阵列。以ZnO纳米管阵列为工作电极，采用电化学沉积法在ZnO纳米管阵列上包覆一层适当厚度的CdTe纳米枝晶薄膜，形成CdTe@ZnO壳核式纳米管结构，在CdTe@ZnO壳核结构阵列上旋涂一层P3HT，形成三组分壳核式P3HT@CdTe@ZnO结构；以ZnO纳米棒阵列为工作电极，采用电化学沉积法在ZnO纳米棒阵列上包覆一层适当厚度的CdSe纳米颗粒薄膜，形成CdSe@ZnO壳核式纳米棒结构，在CdSe@ZnO壳核结构阵列上旋涂一层P3HT或PCPDTBT，形成三组分壳核式P3HT@CdSe@ZnO或PCPDTBT@CdSe@ZnO结构，旋涂一层PEDOT:PSS作为空穴传输层。对基于ZnO纳米材料的电极进行了SEM、XRD、HRTEM、EDS及紫外可见吸收光谱的测定和分析，研究了基于不同电极的太阳电池的光电性能。将制备的ZnO纳米管、CdTe@ZnO、P3HT@CdTe@ZnO一系列光电极组装成半导体杂化敏化太阳电池，研究表明：电化学制备的ZnO管为六方纤锌矿结构，管壁厚约50nm，内径约200nm；电化学制备的CdTe为闪锌矿结构，晶格间距为0.37nm，通过控制沉积电量，可以得到不同壳层厚度的纳米枝CdTe@ZnO壳核结构，最佳沉积电量为1.5C。CdTe拓宽了ZnO的吸收范围，吸收范围达到840nm，且光吸收能力强。基于CdTe(1.5C)@ZnO光电极的半导体杂化敏化太阳电池性能最佳，光电转换效率为1.0%；旋涂一层P3HT后，存在于n-型CdTe与p-型P3HT之间的p-n异质结有利于光生电荷传输与分离，基于P3HT@CdTe(1.5C)@ZnO光电极的太阳电池的效率提高了38%，达到1.38%。将制备的P3HT@ZnO、 P3HT@CdSe@ZnO、 PCPDTBT@ZnO、PCPDTBT@CdSe@ZnO一系列光电极组装成有机无机杂化太阳电池，研究表明：水热法制备的ZnO纳米棒为六方纤锌矿结构，改变反应液浓度可以得到不同直径的ZnO纳米棒，最佳溶液为0.05M硝酸锌和六次甲基四胺；电化学制备的CdSe为纤维锌矿结构，通过控制沉积电压，可以得到不同大小的CdSe纳米颗粒，当沉积电压为﹣1.0V时，颗粒大小均匀，约为20nm，壳层厚度最佳。CdSe拓宽了ZnO的吸收光谱，吸收范围达到700nm以上，且光吸收能力强；旋涂一层P3HT或PCPDTBT后，存在于n-型CdSe与p-型P3HT或PCPDTBT之间的p-n异质结有利于光生电荷传输与分离，其中，基于PEDOT:PSS-P3HT@CdSe(﹣1.0V)@ZnO光电极和PEDOT:PSS-PCPDTBT@CdSe(﹣1.0V)@ZnO光电极的有机无机杂化太阳电池性能最佳，光电转换效率分别为为0.48%和0.50%。