理论预言窄禁带稀磁半导体(Ga，Mn)Sb薄膜及其异质结构可能存在量子反常霍尔效应等新奇特性，近年来受到了特别关注。但是，由于(Ga，Mn)Sb薄膜生长窗口窄，纯相(Ga，Mn)Sb薄膜制备比较困难，迄今关于这类材料的研究报道为数不多。本论文主要研究了高质量的(Ga，Mn)Sb单晶薄膜的低温分子束外延生长，并通过诸多测试手段对(Ga，Mn)Sb薄膜的磁性质和磁输运性质进行了研究。此外，我们还进行了高质量的Fe/(Ga，Mn) Sb双层膜的生长，并初步研究了其磁近邻效应。主要结果如下:　　1.采用低温分子束外延的方法，通过优化生长条件，成功制备出厚度为10nm、Mn含量在0.016至0.039之间的多组(Ga，Mn) Sb单晶薄膜样品。生长过程中反射式高能电子衍射原位监测和磁性测量都表明没有MnSb等杂相的偏析，同时原子力显微镜图像表明其表面形貌平滑，粗糙度小。　　2.在生长后对(Ga，Mn)Sb薄膜进行低温热退火处理，将其居里温度最高提升至30 K，是目前经报道(Ga，Mn)Sb居里温度的最高值。此外，我们研究了霍尔电阻和薄膜电阻随磁场的变化关系，在低温下观测到明显的反常霍尔效应。　　3.通过在高质量(Ga，Mn)Sb单晶薄膜上外延Fe层，我们成功地进行了Fe/(Ga，Mn)Sb异质结构的生长与制备，并初步研究了其磁近邻效应，磁性质和磁输运测量结果均显示Fe/(Ga，Mn)Sb双层膜中(Ga，Mn) Sb的居里温度有一定的提升。