近年来,随着社会和科技的进步,平板显示逐渐成为人们生活中不可替代的一部分,TFT作为平板显示技术驱动面板的核心器件,具备了巨大的研究价值和发展潜力。阳极氧化法制备的Al₂O₃薄膜作为TFT的栅绝缘层,具有稳定性高、均匀性强、性能优良、成本低廉等优点,已经成为当下研究的热点。本研究通过阳极氧化法制备Al₂O₃薄膜并对其进行性能表征,探究其最佳的制备条件。在此基础上以Al₂O₃薄膜为栅绝缘层制备底栅交错型TFT器件,完成TFT的电性能测试,探究不同实验条件下对阳极氧化铝TFT性能的影响,具体分析内容包括以下三个部分:首先,采用阳极氧化法制备Al₂O₃薄膜,改变电解液的种类和浓度,并制备MIM结构测量其击穿电压。结果表明使用酒石酸铵乙二醇溶液制备的Al₂O₃薄膜击穿电压要高于其他电解液（草酸、稀硫酸、柠檬酸）,达到38V。其次,以Al₂O₃薄膜为栅绝缘层,玻璃基片作为衬底,Al作为栅极,ZnON作为有源层,金属Mo作为源漏电极制备TFT。先采用射频磁控溅射法制备Al膜,在通过阳极氧化形成Al₂O₃栅绝缘层,再以O₂、N₂作为反应气体进行磁控溅射制备有源层ZnON,最后采用直流磁控溅射的方法制备Mo薄膜,并且经过光刻、刻蚀等工艺完成TFT的制备。最后,对不同阳极氧化条件下的阳极氧化铝TFT进行电学性能测试,使用半导体测试仪测出TFT的输出特性曲线和转移特性曲线,并用Oringin软件对数据进行可视化处理,通过转移特性曲线提取TFT的重要特性参数。结果表明,采用酒石酸铵乙二醇溶液进行阳极氧化制备氧化铝栅绝缘层的TFT,其载流子迁移率和开关比均要明显高于其他溶液（草酸、稀硫酸、柠檬酸）制备的TFT;当使用酒石酸铵乙二醇溶液为电解液时,溶液中酒石酸铵和乙二醇的浓度越高,TFT的载流子浓度和开关比越高,而酒石酸铵浓度不变的情况下,增大乙二醇的占比,TFT的载流子迁移率和开关比也都会有所增加。因此得到最佳的制备参数为“酒石酸铵:乙二醇:水=2:70:35”,此时阳极氧化铝TFT的特性参数分别为:载流子迁移率3.63 cm²/V·s、开关比为5.1×10⁴、阈值电压3.57 V、亚阈值摆幅3.95 V/dec。阈值电压值为正数说明制备的TFT为n沟道增强型TFT器件。