量子点发光二极管（Quantum Dot Light-Emitting Diodes,QLEDs）凭借其出色的发光效率、低制备成本和色彩饱和度高等独特优势,成为光电子领域的一个研究热点。然而,电荷传输层/发光层界面能级偏移导致QLEDs内存在载流子注入不平衡的问题,阻碍了其商业化进程。为了解决这一问题,首先,本论文设计了一种新型Cd掺Zn S（Cd Zn S）壳层量子点并将其应用到QLEDs当中。其次,研究了水钝化的Mg掺Zn O（Zn Mg O）纳米颗粒（Nanoparticles,NPs）对蓝光QLEDs器件性能的影响。主要内容分为以下三个部分:（1）通过热注入法合成了Cd Zn S壳层的红光、绿光和蓝光量子点,结构分别为Cd Zn Se/Zn Se/Zn S/Cd Zn S、Cd Zn Se/Zn Se/Zn Se S/Cd Zn S和Cd Zn Se/Zn Se S/Zn S/Cd Zn S。首先,Cd Zn S壳层与内壳层（如Zn S和Zn Se S等）之间晶格匹配良好,同时可以进一步钝化量子点表面缺陷。其次,内壳层（如Zn S和Zn Se等）可以将电子和空穴限制在Cd Zn Se核内。因此,合成得到的量子点具有完美的纳米结构和较高的光致发光量子效率（Photoluminescence Quantum Yield,PLQY）,红光、绿光和蓝光量子点PLQY分别为94.4%、93.8%和73.3%。最后,红光、绿光和蓝光量子点的Cd Zn S壳层具有较浅价带能级,分别为-5.97 e V、-6.07 e V和-6.09 e V。由此可见,Cd Zn S壳层有望充当空穴注入跳板并提高器件空穴注入能力。（2）采用溶液旋涂和真空蒸镀法制备得到基于Cd Zn S壳层量子点的红光、绿光和蓝光QLEDs。由于Cd Zn S壳层具有较浅的价带能级,显著提高了器件空穴注入能力。因此,红光、绿光和蓝光QLEDs最大外量子效率（External Quantum Efficiency,EQE）分别达到20.2%、19.2%和8.4%,相应6 V时器件亮度分别为117 000 cd m-2、137 000 cd m-2和12 000 cd m-2。在这些QLEDs器件当中,红光QLEDs在90 000 cd m-2高亮条件下EQE依旧保持在20%以上,器件效率滚降可忽略不计。此外,绿光QLEDs功率效率超过了100 lm W-1,这是最高效的绿光QLEDs之一。（3）Zn Mg O NPs作为常见的电子传输层材料,会导致QLEDs产生严重的激子猝灭和载流子注入不平衡的问题。在这里,我们使用水作为Zn Mg O NPs表面钝化剂从而提高蓝光QLEDs电致发光性能。一方面,水分子可以物理吸附在Zn Mg O NPs表面并填充其表面的氧空位,从而限制了器件内激子猝灭过程。另一方面,H2O的添加轻微削弱了Zn Mg O NPs电子传输特性,使得器件内载流子复合更加平衡。因此,基于水钝化Zn Mg O NPs制备的蓝光QLEDs器件最大EQE提升至11.0%,并且6 V时峰值亮度超过20 000 cd m-2。综上,我们通过降低空穴传输层/发光层界面空穴注入能垒、削弱电子传输层/发光层界面电子注入与传输的办法,实现QLEDs内平衡的载流子注入,进而提高QLEDs性能表现。