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摘要：磁性纳米线在磁存储器、磁逻辑器件等自旋电子器件中有着重要的应用价值。本文采用多孔氧化铝(Anodic Aluminum Oxide, AAO)模板-电化学沉积方法制备了线径调制纳米线和多层膜纳米线,对其磁性质进行了表征分析,并制备了单根纳米线电极器件。1.基于非对称二次阳极氧化方法,研究了电解液类型对多孔氧化铝模板孔径的影响。结果表明,在相同的氧化电压下,硫酸中形成的孔径最小,草酸中等,磷酸最大。通过在多种不同的电解液中交替氧化,制备了孔径大小调制的多孔氧化铝模板。2.采用所制备的多孔氧化铝为模板,通过电化学沉积方法制备了线径调制的Co、Ni纳米线。X射线衍射(X-ray Diffraction, XRD)分析表明Ni纳米线为面心立方结构,并沿(220)方向具有很好的晶体择优取向；Co纳米线的晶体结构为六角密积结构,沿(100)和(110)方向择优取向。利用综合物性测量系统(Physical Properties Measurement System, PPMS)测量了Oo、Ni纳米线在不同温度下的磁滞回线。结果表明：Ni纳米线的磁各向异性主要来源于形状各向异性,矫顽力随温度变化不大；Co纳米线的磁各向异性取决于磁晶各向异性和形状各向异性之间的相互竞争,导致Co纳米线的矫顽力随温度的而降低而显著增大。电化学沉积了成分调制的Co/Cu多层膜纳米线,XRD结果显示多层膜纳米线的Co层呈现面心立方和六角密积两种结构。对多层膜纳米线的磁性质进行了表征。3.采用光刻、电子束曝光微加工技术制备了多探针单根纳米线电极,测试了纳米线与电极的接触特性。纳米线与电极接触为欧姆接触,但接触电阻很大,在10KΩ以上。在金属沉积之前采用Ar等离子处理后,接触电阻明显减小,部分样品的接触电阻最低可降至1KΩ左右。纳米线表面的自然氧化层是导致接触电阻过大的主要原因。