自旋电子学是近些年来在半导体电子学和磁电子学基础上发展起来的一门新兴交叉学科。丰富的物理内涵、明确的应用目标以及广阔的市场前景,自旋电子学已成为当今凝聚态物理和材料科学领域最为关注的方向之一。其中,巨磁电阻的发现及在自旋器件上的应用是最有重大影响力的成果。非易失性存储器和高密度磁存储器的诞生,不仅给基础研究注入了活力,更为市场带来了巨大的经济效益。巨磁电阻研究的关键在于如何获得更为实用的低场室温磁电阻效应。具有高自旋极化率的半金属材料,如掺杂锰氧化物,CrO₂,Fe₃O₄等成为研究者的首选。无论是提高半金属材料的内禀磁电阻,还是外禀磁电阻,都有着极大的研究和应用潜力。研究表明,半金属颗粒复合体中,颗粒边界对低场磁电阻产生和增强有重要作用,调节颗粒边界势垒已成为颗粒体系中磁电阻增强的有效实验途径。此外,掺杂锰氧化物中,3d/4d/5d过渡族金属氧化物材料日益受到人们的关注。在这类新型的磁电阻氧化物中,4d或5d金属离子较3d金属离子具有宽的d轨道和电子巡游特性,d电子与氧的2p电子存在较强的杂化作用。自旋,轨道和晶格间的相互耦合,引起材料中大的电、磁响应以及巨磁电阻等丰富物理现象,为磁电阻材料研究范围的拓宽以及强关联电子体系中物理性质的探讨提供了新的实验依据。另一方面,磁致冷技术的飞速发展使得凝聚态物理工作者越来越关注磁性材料的磁热效应。传统的气体制冷存在众多的缺点,相比之下,磁制冷具有熵密度高、体积小、噪音小、无污染、高效低耗等独特优势。磁制冷研究的关键在于获得室温附近大的磁热效应。传统的金属钆（Gd）以及近年来报道的Gd₅(Ge_1-xSi_x)₄和La(Fe_13-xSi_x)等合金都是具有大磁熵变的磁性材料。然而,这些材料中稀有金属的昂贵,化学性质的不稳定,居里温度单一,磁滞与热滞现象严重等因素,使得磁制冷技术的应用步履维艰。值得注意的是,具有庞磁电阻的掺杂锰氧化物同样表现出了大的磁熵变效应,这一发现大大拓宽了磁制冷工质的研究范畴。掺杂锰氧化物具有价廉、制备简单、居里温度在较大温区范围内可调等优点,使得其在磁制冷研究中关注程度日趋增加。但这一材料也有其明显不足之处,如磁性能受制备工艺和掺杂影响较大。因此,研究者仍在通过提高制备工艺等方法,努力探索具有实用价值的磁熵材料。综合上述两方面的研究背景,本文的研究主要分为二个部分。一,磁性氧化物磁输运性质的研究,包括半金属CrO₂和Fe₃O₄颗粒边界磁电阻效应的研究,以及3d/4d过渡族金属氧化物Sr电磁性能,磁性相变和磁电阻的研究。二,研究了半金属CrO₂的磁热效应,以及多晶SrRu_1-xMn_xO₃中磁熵变随体系磁性相变的变化关系。主要研究内容包括:1.磁性氧化物磁输运性质的研究（1）通过调节颗粒边界势垒状态,获得了室温Fe₃O₄颗粒中增强的磁电阻和磁阻抗效应。系统研究了球磨Fe₃O₄粉末颗粒的电阻率、磁性能、磁电阻、磁阻抗与颗粒边界势垒的关系。磁电阻和磁阻抗效应在优化的颗粒边界势垒样品中出现极大值。室温磁阻抗效应在5000 Oe磁场下从-7.0%增加到了-12.3%,提高了近76%。采用阻抗谱分析方法,将颗粒体系中晶粒、晶界和颗粒边界电阻加以分离,区分出晶粒和颗粒边界对磁输运性质的贡献。通过非线性I-V曲线计算得到各样品中边界势垒高度和势垒宽度,详细讨论了磁输运与颗粒边界势垒状态的关系。因此,这一增强的交流磁输运特性为高频自旋电子器件的开发提供实验依据。（2）首次通过化学反应方法,改善半金属CrO₂颗粒表面天然的Cr₂O₃势垒层,获得了低场磁电阻的显著增强。相成分和表面态的测试结果表明,强氧化剂KMnO₄能有效地去除或调整半金属CrO₂颗粒表面绝缘的Cr₂O₃层,从而得到一系列具有不同表面态的CrO₂颗粒,最大磁电阻达到MR=-33%,相比于未处理样品提高了近22%。并对具有不同表面态CrO₂颗粒的电、磁性能、磁电阻效应和颗粒间势垒性质作了较为系统的分析和讨论。探索了一条用化学反应法调整颗粒表面势垒状态而获得低场磁电阻增强效应的有效实验途径。（3）首次在实验上制备了具有正自旋极化率CrO₂和负自旋极化率Fe₃O₄的二组元半金属颗粒复合体,研究了具有特殊微观结构半金属颗粒复合体的磁输运特性,并探讨了体系逾渗阈值、磁电阻效应与微观结构的关系。我们发现随着CrO₂组分的变化,复合体的电导发生逾渗现象,在逾渗阈值φ_c=0.15（CrO₂组分浓度）处出现磁电阻的极小值。详细研究了复合体逾渗阈值处电导和磁输运机制,分析了由异号自旋极化率的CrO₂和Fe₃O₄组成的颗粒复合体磁电阻效应的特征。（4）首次系统研究了3d/4d过渡族金属氧化物SrRu_1-xMn_xO₃（0≤x≤1）磁性相变和磁输运性质,发现了这一体系中低温-41%的磁电阻效应和居里温度附近-35%的磁电阻峰值,率先报道了多晶SrRu_1-xMn_xO₃中磁相变图。3d金属离子Mn⁴⁺对4d钙钛矿氧化物SrRuO₃的B位掺杂,驱使体系从金属性巡游铁磁体转变为绝缘性反铁磁体。X-射线光电子能谱（XPS）测试表明,多晶样品中Mn和Ru离子主要以Mn⁴⁺和Ru⁴⁺价态为主,但存在少量的Mn³⁺和Ru⁵⁺离子价态。详细研究了体系中多种磁性相的共存和相互竞争,如Mn³⁺-Mn⁴⁺(Ru⁵⁺)铁磁性相互作用,Mn-Ru铁磁性超交换作用,Mn⁴⁺-Mn⁴⁺及Ru-Ru反铁磁相互作用,以及由此导致的多晶SrRu_1-xMn_xO₃中复杂的磁性相变行为。系统分析了不同温度下电、磁性质和磁场导致的磁性相变特征,对低温和居里温度处产生大的磁电阻效应物理机制作了深入探讨。2.磁性氧化物中磁热效应的研究（1）首次研究了半金属CrO₂颗粒中的磁熵变△S_M和绝热温度变化△T_ad,发现具有二级相变的CrO₂材料表现出大的低场磁热效应:在1.5 T磁场下,磁熵变△S_M达到-5.1 J/kg-K,绝热温度变化达到△T_ad=2.0 K。这一低场磁熵变在磁性氧化物中是比较可观的。同时,还系统研究了不同颗粒尺寸CrO₂的磁热效应。运用分子场理论,朗道模型和德拜近似等方法,分析了具有二级相变CrO₂材料中磁熵的来源,包括电子自旋,磁滞伸缩,电子熵变对整个磁熵变的贡献。（2）首次研究了4d巡游金属性铁磁体SrRuO₃和多晶SrRu_1-xMn_xO₃体系中磁热效应与磁性相变的关系。结果表明,6.5 T磁场下,巡游铁磁体SrRuO₃在居里温度160K处存在△S_M=-2.5 J/kg-K的磁熵变和△T_ad=3.1 K的绝热温度变化。相对制冷率达到RCP=70 J/kg。由于相变温度处SrRuO₃晶格常数存在较大的变化,运用德拜近似计算,发现具有二级相变的SrRuO₃材料晶格熵变在整个熵变中的重要性。B位Mn离子的掺入,体系低温下出现自旋玻璃/团簇玻璃的磁性态,高温（-200K）出现反铁磁/顺磁的转变。体系磁熵变强烈依赖于磁性相变,不同磁性相变温度处表现出系统的变化。在铁磁-顺磁转变温度T_c处和自旋冻结温度T_f处均出现了负磁熵变△S_M的峰值,而在反铁磁相变温度T_N附近,出现了正的磁熵变△S_p。详细探讨了体系中磁熵变的物理机制以及Mn的掺入导致磁熵变随磁性能的变化关系。