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本文采用基于空心阴极放电的离子注入与沉积方法对圆筒内表面改性技术进行实验研究。采用C2H2气体，利用直流空心阴极放电、射频空心阴极放电、中频中压空心阴极放电等方法在圆筒内表面合成DLC膜，并对这三种空心阴极放电方法进行比较研究，发现用中频中压空心阴极放电法最易在内表面形成性能良好的薄膜。对中频中压空心阴极放电法所合成的薄膜进行激光Raman光谱分析，证实了所合成的薄膜为DLC膜，而且激光Raman光谱也证明随着电压的增加，DLC膜中sp3键含量降低。通过改变电压、脉冲宽度、频率对中频中压空心阴极放电内表面改性工艺参数进行优化，发现随电压和频率的升高DLC膜的耐磨性和膜基结合力明显提高，它对Si3N4陶瓷球的摩擦系数降低到0.16，膜基结合力提高到23N。