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太赫兹波处于电子学向光子学的过渡区域,具有多种独特的性能,能够广泛应用于太赫兹成像、通信、物质检测等领域。但是,由于太赫兹发射和探测技术进展相对落后,限制了太赫兹技术的发展和应用。Salisbury屏吸波器是一种结构简单、制作容易的吸波器结构,能够在特定频段实现近完美吸收。因此,探索研究Salisbury屏太赫兹吸波器,有利于促进太赫兹技术的发展。本文主要设计并制作了基于有机太赫兹吸收材料的一种新型柔性Salisbury屏吸波器,探究其吸波原理及太赫兹响应规律,主要研究内容如下:(1)采用化学合成方法,合成了有机材料4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST),并对产物进行了提纯与表征。基于Lorentz模型,研究了在0-10 THz范围内DAST单晶沿a轴和b轴方向的介电常数。并且,基于此模型,通过Matlab软件计算得到了在0-10 THz范围内DAST单晶沿a轴和b轴方向的折射率、消光系数和交流电导率。(2)首次提出将有机非线性光学材料DAST制作新型的Salisbury屏吸波器的电阻层。通过传输矩阵法、传输线模型和多次反射理论,研究了基于DAST单晶的Salisbury屏吸波器的吸波特性,并得到了其吸收特性的解析解。而且,通过Matlab编程计算,还得到了不同DAST单晶厚度下吸波器的吸波特性。(3)将计算得到的沿DAST单晶的a轴和b轴方向的介电参数导入CST仿真软件,利用CST仿真软件计算了在正入射条件下吸波器分别沿DAST单晶的a轴和b轴方向的吸收特性和不同角度入射时TE和TM两种偏振模式下的吸收特性。(4)使用一种在太赫兹波段没有吸收的柔性聚合物(聚四氟乙烯)薄膜作为Salisbury屏吸波器的介质层。采用喷涂DAST甲醇溶液、然后在氮气下退火的方法,制作出基于DAST多晶薄膜的Salisbury屏吸波器。利用THz-TDS,测试了吸波器的太赫兹吸收谱。实测结果显示,当多晶薄膜厚度从2μm增加到4μm时,Salisbury屏吸波器在1.1 THz处的吸收率从29.8%增加到了66.8%,这与CST仿真结果非常接近。(5)研究了有机非线性材料间硝基苯胺(mNA)的压电和太赫兹吸收特性,探索了将mNA作为电阻层用于Salisbury屏吸波器来实现太赫兹吸收的前景。