该论文主要是采用电子自旋共振的方法,讨论顺磁晶体LiNbO<,3>晶体掺锰的精细结构和超精细结构.铌酸锂晶体是重要的光折变晶体,其中的掺杂离子更是起着重要的作用.该文就是从实验的角度分析了铌酸锂晶体掺锰的电子自旋共振.铌酸锂晶体掺锰的电子自旋共振跃迁中,前人的研究中发现了符合选择定则的五组跃迁,但是在我们的实验中却发现了七组跃迁,其中有两组禁戒跃迁,当然,禁戒跃迁信号的强度比正常跃迁信号的强度弱得多.产生禁戒跃迁的原因是由于能级靠的比较近而造成的.离子的电子自旋共振谱的分析主要通过分析该谱的g因子、精细结构常数、超精细结构分裂常数来确定.论文中用几何相似的方法求出了零场分裂时的能级间隔的表达式|△ε<,1>|=v(1-H<,4>/2H<,5>)和|△ε<,2>|=(1-H<,1>/H<,5>)v,通过对ESR谱的分析,利用求得的能级间隔表达式,得出零磁场的能级分裂数值:|±1/2〉与|±3/2〉之间的能量间隔为△ε<,1>=1914×10<-4>cm<-1>,而|±3/2〉与|±5/2〉之间的能量间隔为△ε<,2>=2633×10<-4>cm<-1>;其各向异性朗德因子g<,∥>=2.1810,g<,⊥>=2.09368;精细结构常数D=-757×10<-4>Cm<-1>;超精细结构常数A<,∥>=88.36×10<-4>Cm<-1>,即精细结构相互作用要比超精细结构相互作用大得多.