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晶体硅器件性能与其表/界面特性密切相关,例如高效率晶体硅太阳电池技术的核心是表面钝化技术。二氧化硅、氧化铝、非晶硅薄膜三种关键钝化技术已经构成了高性能光伏器件的基础。但这些传统钝化技术通常需要高真空或高温甚至需要危险气源来实现,不符合低成本的技术发展路线。具有巨大低成本潜力的有机钝化技术已被提出多年,但一直以来未见明显突破。在本论文中,一种高质量的聚合物薄膜[(聚苯乙烯磺酸,polystyrene sulfonic acid(PSS)]钝化技术被发现,经PSS薄膜钝化的高阻硅片有效少子寿命高达28.