SnO₂和ZnO作为宽禁带半导体气敏材料已为人们熟知,而复合金属氧化物ZnSnO₃作为一种新型的气敏材料,气敏性能优异,越来越受到人们的重视。但单纯的ZnSnO₃基气敏传感器和大多数半导体气敏传感器一样存在工作温度过高（200°C以上）等问题,这使得该类型的气敏传感器稳定性差、功耗大,从而限制了其在易燃易爆气体检测方面的应用。纳米TiO₂具有较好的紫外光敏特性,针对上述问题,本论文拟制备ZnSnO₃/TiO₂复合材料,使其形成ZnSnO₃-TiO₂异质结,并采用紫外光激发的方式来降低所制备气敏传感器的工作温度。首先用共沉淀法制备出空心立方状ZnSnO₃,然后与TiO₂复合,在叉指电极上制作薄膜型敏感元件。实验表明,所制备的传感器在365 nm、5 mW紫外灯照射下最佳工作温度为80°C,且在80°C时其气敏性能优异。相关机理研究认为,TiO₂掺杂和紫外光激发是气敏传感器性能显著增强的主要原因:在紫外光照射下,ZnSnO₃/TiO₂复合材料表面产生大量光生电子-空穴对,光生电荷在表面异质结的作用下能更有效的分离,这加快低温下氧化还原反应的进行,从而提升所制备传感器的气敏性能。此外,研究中发现,在ZnSnO₃空心立方体制备过程中加入有机添加剂三乙醇胺,可制备出花状ZnSnO₃。将5 wt%、10 wt%、20 wt%、30 wt%的纳米TiO₂颗粒分别掺入花状ZnSnO₃中,研究了掺杂量对气敏性能的影响,并确定了最佳质量配比。实验证明,当TiO₂掺杂量为20 wt%时,所制备传感器的气敏性能最好,而且在室温下对1000 ppm乙醇气体就有响应（响应值高达36.6）,并可检测浓度低至10 ppm的乙醇气体,这一点是空心立方状ZnSnO₃所无法比拟的;气敏性能测试表明,其最佳工作温度仍为80°C。综上,本文分别制备了具有空心立方状和花状形貌的ZnSnO₃,并利用TiO₂的紫外光敏特性对其进行修饰改性。制备的ZnSnO₃/TiO₂复合膜在紫外光作用下最佳工作温度均低至80°C,且其它气敏特性表现良好。在此基础上发现,花状ZnSnO₃在室温下对乙醇气体具有很高的响应。上述方法为解决其他种类气敏传感器温度过高、灵敏度较差等问题提供了一个新思路。