自组织生长InAs/GaAs量子点由于其独特的光电特性和器件应用前景而受到人们的广泛关注.但实际生长的量子点样品尺寸分布为高斯分布,非均匀性大,使量子点样品的光荧光峰为高斯线性,并峰宽大,对器件应用不利,要求人们研究量子点的生长机理,优化生长工艺,提高尺寸分布的均匀性.利用MBE-SPM联合系统可以对InAs/GaAs量子点进行准原位研究,从而避免样品表面氧化和沾污对测量结果可靠性的损害.STM图像表明,在对n<+>-GaAs衬底进行脱氧处理后,通过和平共处GaAs缓冲层能有效的改善表面质量.在缓冲层上继续生长2单原子层InAs后形成了量子点.SPM与透射电子显微镜给出的量子点形貌的异同在文中给出了合理的解释.制备半导体器件时,掺杂是极为重要的过程,为研究掺硅对自组织生长InAs/GaAs量子点生长动力学的影响,研究人员进行了在位超高真空扫描探针显微镜和低温光荧光谱测试.根据扫描探针显微镜形貌图,样品中搀硅时,与未馋硅时比,有更多的小尺寸量子点形成.在光荧光谱图上,与小尺寸量子点对应的高能带尾山出现.同时,随硅掺杂量的增加,高能带尾在荧光峰中所占比重增加.根据这些现象,研究人员提出一个生长模型,认为硅原子起了量子点形核中心的作用.