氮化镓(Gallium Nitride,GaN)功率器件开关速度快,能够在高频条件下工作,将逐渐替代传统功率器件应用到桥式电源系统。在桥式电源系统中,由于GaN器件寄生电感在电流转换时引起栅极电压尖峰,导致GaN器件栅极击穿,所以需要在GaN驱动芯片中设计高侧过压保护电路。高电压转低电压电平移位电路作为高侧过压保护电路的核心部分,其信号传输延时、抗电源噪声能力将直接影响高侧过压保护电路的可靠性,故研究GaN驱动芯片高电压转低电压电平移位电路具有重要意义。本论文首先介绍了增强型GaN功率器件的特点及GaN驱动芯片高低压电平移位电路的设计要求,然后深入分析了传统高低电压电平移位电路可靠性和传输延时的折中关系,指出其为提高抗电源噪声能力引入滤波电路,使电路整体传输延时偏大。在上述分析的基础上,本论文设计了一种低延时、高可靠性高低压电平移位电路,该电路利用电流镜电路进行电平移位,有效降低电路传输延时;新增噪声检测电路,利用其输出的宽脉冲信号消除电源噪声带来的差分信号,避免错误信号输出,提高了电路抗电源噪声能力。本论文的设计基于0.5μm 100V BCD工艺平台进行了仿真验证。后仿真结果表明:在100V工作电压和1MHz工作频率下,电路传输延时为8.2ns,抗电源噪声能力达100V/ns,静态电流为24.1μA,均达到设计指标要求。