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本文选择TiO_2纳米棒阵列作为窗口材料,窄禁带半导体Sb_2S_3纳米结构为光敏层,在P3HT中通过超声分散法引入一种新型的光电传输材料MoS_2形成P3HT-MoS_2微异质结构作为空穴传输层制备杂化太阳电池。对P3HT-MoS_2微异质结构的形成及其在太阳电池中作用机理进行了探索,并对太阳电池的光伏性能进行了优化。采用光电化学手段对MoS_2的p/n半导体特性及能级结构进行了探索,为其在太阳电池中的应用提供理论依据;通过SEM、TEM、EDS、XRD等手段对MoS_2和P3HT-MoS_2微异