CMOS低噪声放大器的研究

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随着无线通信事业和CMOS工艺的迅速发展,基于CMOS工艺的射频IC前端存在广阔的市场,具有良好的应用前景,是目前无线通信研究中的热点。CMOS射频无线前端电路由发射和接收模块组成,其中低噪声放大器是射频接收模块的关键部分。另一方面,随着计算机技术与通信事业日新月异地发展,无线局域网由于其能弥补有线网络的很多缺陷而在个人和商业领域大受欢迎。随着用户的要求不断提高,无线局域网必定也向更高频率、更宽带宽的方向发展。而IEEE802.11a是现在最有优势的无线协议标准之一,工作于5GHz频段。本文基于这一频段,首先简单介绍了CMOS射频集成电路研究的意义,概述了CMOS低噪声放大器研究中仍存在的几大问题及国内外CMOS低噪声放大器的研究进展。其次较系统地论述了射频电路应用之一的无线局域网的知识及射频电路中一些基本概念。再次在深入研究了已有参考文献的基础上进行了如下工作:(1)提出了一个5.7GHz全集成CMOS低噪声放大器结构,进行小信号分析之后做了较详细的噪声性能分析,并用ADS软件进行仿真验证。仿真结果表明,所提出的电路具有较好的性能,整个电路只含一个无源电感,便于集成。(2)提出了一个5.7GHz级间匹配的CMOS低噪声放大器结构,分析了级间匹配结构对性能的影响,并用ADS软件进行仿真验证。仿真结果表明,所提出的电路具有较好的性能,级间匹配结构可以改善共源共栅结构的由输入共源级的输出阻抗和其负载级联共栅级的输入阻抗引起的不匹配。(3)提出了一个高线性度的5.7GHzCMOS低噪声放大器结构,该电路结构是在深入研究两种非线性分析方法及近年来常见的提高线性度方法的基础上提出的,结构简单易于实现,用ADS软件进行了仿真验证。结果表明,该电路具有良好的性能,与传统的共源共栅结构低噪声放大器相比,在不增加功耗的情况下提高了线性度。最后作了全文的总结和展望。
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