3ω法和悬空微器件法已广泛的应用于一维纳米结构导热系数测量中。目前3ωω法和悬空微器件法的准确性还没有统一判据。研究同一根一维纳米结构导热系数可作为3ωω法和悬空微器件法准确性的判据。搭建了3ω法一维纳米结构导热系数测试平台,并利用体态材料Si和直径19μm的Pt线分别标定了3ω法测试平台。样品体态Si与香港中文大学是同一批样品,测量得到体态Si的导热系数和香港中文大学的测试结果在多数温度点下的误差在10%以内,表明3ω法测试电路是正确的。测量得到直径19μm的Pt线在室温300 K的导热系数为67.5W/mK,与文献值71.6 W/mK误差为5.7%,计算得到总的测量相对不确定度为7.19%。可以认为Pt线导热系数与文献值吻合较好,表明了3ω法测试一维纳米结构过程中数据处理是正确的。利用3ω法和悬空微器件法对比研究了Bi2Se3纳米带导热系数在3ω法和悬空微器件法测试平台上的测试结果。三根单根Bi2Se3纳米带导热系数测量结果显示3ω法导热系数的测量结果大于悬空微器件法导热系数测量结果,偏大的原因并不能用过大的接触电阻来解释,还需进一步的研究。研究了辐射换热对悬空微器件温度的影响,测量SiNx薄膜和基底温度的差异,结果表明当使用3层遮热罩时,SiNx薄膜和基底温度可以认为相同,当使用2层遮热罩时,SiNx薄膜温度最高比基底温度低0.4 K,当使用1层遮热罩时,由于辐射换热的影响,360 K时基底温度比SiNx薄膜温度高11.8 K。因此在悬空微器件法一维纳米结构热物性测试平台上,为了减少辐射换热对一维纳米结构导热系数测量带来的误差,必须至少使用2个遮热罩。