【摘 要】
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光开关是实现电路通断的主要器件。目前,利用热-光效应制作的光开关功率约200-500mw,调制速度0.5-1k Hz,但对于大量需要光开关控制的设备,如微波光子等,迫切需要将单个光开关功耗降至nw级别;而对于需要快速控制光路的设备,热光开关也限制了其性能发展。针对这一问题,研究学者提出利用应力-光效应,在光开关波导结构上沉积一层压电材料来实现对波导结构的应力主动控制,其中的压电材料,选用具有较大横
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光开关是实现电路通断的主要器件。目前,利用热-光效应制作的光开关功率约200-500mw,调制速度0.5-1k Hz,但对于大量需要光开关控制的设备,如微波光子等,迫切需要将单个光开关功耗降至nw级别;而对于需要快速控制光路的设备,热光开关也限制了其性能发展。针对这一问题,研究学者提出利用应力-光效应,在光开关波导结构上沉积一层压电材料来实现对波导结构的应力主动控制,其中的压电材料,选用具有较大横向压电系数,并在微机电中广泛使用的压电PZT薄膜,最终实现调制速度达到1–5k Hz,功耗仅为20uw。
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