【摘 要】
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该文的主要工作就是研究在国产PD-I型PECVD沉积台上,不同条件(包括沉积条件及后道工艺,如热处理等)对SiNx:H膜的特性的影响,以及薄膜对太阳电池的不同影响;并对结果进行了分
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该文的主要工作就是研究在国产PD-I型PECVD沉积台上,不同条件(包括沉积条件及后道工艺,如热处理等)对SiNx:H膜的特性的影响,以及薄膜对太阳电池的不同影响;并对结果进行了分析.研究这些性质是相当重要的,因为实验所得数据能够为太阳电池的生产和设计提供大量的基本信息和参考.根据这些实验数据,我们最终制备的多晶硅太阳电池(50mm×50mm)效率超过13﹪,单晶硅太阳电池(50mm×50mm)效率超过14﹪,达到当时(2002年6月左右)的国内领先水平.
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