本文主要对高频器件多晶硅发射极工艺进行了研究,对其制作工艺、主要工艺参数进行了研究和优化,并通过优化结果,成功地开发出一套完整的1μm制备微波晶体管工艺。主要的工作和研究成果包括:1根据设计指标对微波晶体管的纵向结构和横向结构进行设计,并根据所设计的结构进行了理论计算验证。2利用减压外延在极高浓度的掺砷衬底上制备了2μm均匀的外延层,形成极小串联电阻的集电极结构。3采用高温Si3N4作为介质层,减小了漏电流。4采用基区发射区全注入结构形成了极小的基区宽度并均匀可调,均匀的多晶硅发射极缓冲层,能形成均匀的浅发射极,为制作高频器件奠定了基础。对器件的浓硼基区,淡硼基区以及发射极的注入条件、RTA条件等工艺进行研究和优化,根据器件各项性能的综合考虑,设计了一套合理的双极制作工艺。5深入研究了金属铝的细线条干法刻蚀,通过改变反应气体的流量、比例及RF功率、磁场的试验摸索,找到了最佳的干法刻蚀Al工艺。6通过工艺优化,成功地开发了一套完整的1μm多晶硅发射极制作工艺。制作出高频器件特征频率预计达到5GHz,各项直流性能良好。为制作更高频的微波器件的技术研究积累了经验。