【摘 要】
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由于蓝绿光范围发光和激光器件发展的需要,宽带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其三元 混晶材料的研究引起人们的兴趣.该论文主要研究了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,主要是掺 氮ZnSe,Zn
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由于蓝绿光范围发光和激光器件发展的需要,宽带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其三元 混晶材料的研究引起人们的兴趣.该论文主要研究了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,主要是掺 氮ZnSe,Zn<,0.84>Mn<,0.16>Se/ZnSe,ZnS<,x>SeZnS<,X>Te<,1-x>三种材料的光学性质. 另外研究了In<,0.55>Al<,0.45>As量子点结构的光致发光特性.目前得到了一些有意义的结果.1.研究了未掺杂ZnSe和掺氮的ZnSe外延层的光致发光特性;2.对ZnSe,Zn<,0.84>Mn<,0.16>Se合金和ZnSe/Zn<,0.84>Mn<,0.16>Se超晶格的变温光致发光特性进行了详细的研究;3.在室温下测量了ZnS<,x>Te<,1-x>混晶的静压光致发光谱;4.研究了在不同指数面的GaAs衬底上生长的In<,0.55>Al<,0.45>As量子点结构的光致发光特性;5.此外,还参加了有关In<,0.55>Al<,0.45>As/Al<,0.5>Ga<,0.5>As量子点结构中激子热转移的研究和不同指数面(n11)上生长的Ga<,0.5>Al<,0.5>AsIn<,0.52>Al<,0.48>As样品的喇曼散射研究以及生长在InP衬 底上的In<,1-x-y>Ga<,x>Al<,y>As四元混晶的光学声子的喇曼散射研究.
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