基于SiC MOSFET的感应电机矢量控制系统死区性能优化方法

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感应电机在工业生产及交流传动领域中有着广泛的应用,随着工作环境的逐渐苛刻和电机运行工况的逐渐复杂,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)器件凭借其高频、高压、高温等优势逐渐取代传统硅基绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)成为逆变器的开关器件。为了防止逆变器桥臂直通,需要在开关管控制信号中加入死区时间,这会对电机控制产生不利影响。因此,本文研究了一种基于碳化硅开关管的感应电机死区性能优化方法,主要研究内容及成果如下:1、本文首先介绍了感应电机数学模型及矢量控制技术基本原理,分析了桥式电路死区效应产生机理,并研究了死区效应造成的不利影响,为后续实现基于碳化硅开关管的死区性能提升奠定了理论基础。2、阐述了传统死区脉冲补偿法的原理,研究了一种直接操作寄存器的死区脉冲直接补偿法,通过对微处理器中比较寄存器或周期寄存器进行操作,能够便捷的实现死区补偿,避免了繁琐的程序执行逻辑。采用坐标变换电流极性检测方法,将三相定子电流变换到dq坐标系下进行低通滤波处理,能够消除电流过零点的模糊性,消除多个过零点,从而更好的实现死区脉冲补偿。3、分析了零电流钳位现象的原理,为了降低零电流钳位现象对电机控制的影响,提出了基于碳化硅MOSFET的死区自适应直接补偿方法。在LTspice仿真软件中对碳化硅开关管进行了双脉冲测试,详细分析了碳化硅MOSFET的开通关断过程,依据碳化硅器件关断时间与负载电流关系研究了一种基于碳化硅MOSFET的死区自适应控制,能够依据负载电流大小动态改变死区时间,降低零电流钳位现象。4、简要介绍了本文所提出的基于碳化硅MOSFET的死区自适应直接补偿系统的硬件结构和主要电路原理图。运用Matlab/Simulink仿真软件和以DSP TMS320F28335为控制芯片的感应电机控制系统实验平台,对所研究的基于碳化硅MOSFET的感应电机死区自适应直接补偿方法分别进行了仿真和实验研究。实验结果表明,该方法能够在不同运行工况下降低感应电机三相定子电流五七次谐波20%到80%,有效提高电流过零点附近的正弦度,提升电流过零点时的死区性能。
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