随着航天与核技术的发展,越来越多的电子器件用于辐射环境,辐射会影响电子器件的性能和可靠性。器件性能参数的退化往往来源于材料中缺陷的积累。因此为了保证电子器件在辐射环境下的可靠性,需要一种快速、灵敏、简便易行的方法来评价电子材料的抗辐射能力。本文研究了SiO₂介质、pn结和硅材料的辐射损伤机制及1/f噪声与材料缺陷之间的关系。以SiO₂介质材料为例,建立了SiO₂介质材料抗辐射能力噪声无损评价方法,并以LabVIEW为平台设计并实现了电子材料抗辐射能力无损评价软件系统。本文主要完成的工作如下:1.研究了SiO₂介质、pn结和硅材料的辐射损伤机理,分析了噪声与材料缺陷之间的关系及SiO₂介质材料辐射损伤噪声灵敏表征方法,建立了SiO₂的噪声无损评价模型,给出参数提取方法,并设计了无损评价方案。2.基于上述结果,利用LabVIEW平台完成了典型电子材料抗辐射能力无损评价软件系统。针对低频噪声测试的频率范围,选择了合适的数据采集板卡,完成了评价系统的采集模块。研究了连续采集存储技术,在LabVIEW平台上采用队列结构实现了长时间连续采集和数据存储。3.在评价方案的基础上,设计并实现了爆裂噪声分析和基于评价模型的评价分析模块,实现了对SiO₂介质、pn结与硅材料的抗辐射评估及预测。