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纤锌矿型的ZnO属于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，是直接宽带隙体系，在室温条件下，带隙宽度为3.37eV,激光束缚能为60meV，约是GaN的2.4倍。本文基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势的方法，并与广义梯度近似（GGA）的方法相结合，计算了本征 ZnO体系，ZnO(N)体系，ZnO(F)体系，ZnO(Na,N)体系，ZnO(Na,F)体系以及ZnO(Mn,N)体系的电子结构，电荷密度以及体系的形成能，研究结果如下。 本征ZnO材料是一种直接宽带隙半导体。N掺杂ZnO后形成深受主能级，费米能级附近形成空穴的局域性较强，故纯N掺杂很难得到理想的p型ZnO。F掺杂ZnO形成的局域性较强，并且费米能级穿过导带，从而引起ZnO的n型导电特征，不利于p型导电。 ZnO(Na,N)体系与 ZnO(N)体系相比，有更多的杂质态密度穿越费米能级，在费米面附近受主N2p的杂质态更宽，形成轻空穴带，提高了杂质元素的化学稳定性和固溶度。Na和N以1:2的比例掺杂时，在费米面附近受主N2p的杂质态更宽，在费米能级附近的态密度最弥散，体系中载流子数增多，并且ZnO(Na,2N)体系中的形成能最低。因此Na-2N掺杂ZnO体系对p型导电机理的解释以及实现有重要意义。 ZnO(Na,F)体系与ZnO(F)体系相比，费米能级移至价带顶，使得在费米面附近形成轻空穴带，出现p型导电的特征。Na和F共掺杂ZnO体系比F单掺杂ZnO体系具有更低缺陷形成能，因此体系的化学性能较稳定，更加适合掺杂，并且体系变得相对稳定，掺杂浓度提高。Na和F以1:2的比例掺杂时，掺杂体系中的形成能最低，原子间的作用力增强，体系的化学性能变得稳定，空穴载流子数增多，p型化特征相对明显。 ZnO(Mn,N)体系与 ZnO(N)体系相比,具有更低的受主杂质的形成能和更高的化学稳定性，更加适合p型掺杂。Mn和N以1:2的比例掺杂时，在费米能级费米面附近受主N2p的杂质态最宽，形成轻空穴带，空穴间的排斥力减弱，系统的结合性增强，提高了杂质掺杂浓度。此外，研究发现相比于ZnO体系的其他掺杂构型，Mn和N原子共掺杂ZnO体系在费米能级形成的受主N2p的杂质态最为弥散，同时空穴有效质量变小，非局域化明显，且体系的受主杂质的形成能也最低。因此，Mn-N共掺杂有望成为P型掺杂的更有效的手段。