【摘 要】
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该文详细的介绍了BST薄膜在DRAM中的应用前景和现在存在的主要问题及解决办法.为进一步提高介电常数并同时保持其介电损耗在较低的值,本文中采用了Sol-gel法制备多层膜的方法
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该文详细的介绍了BST薄膜在DRAM中的应用前景和现在存在的主要问题及解决办法.为进一步提高介电常数并同时保持其介电损耗在较低的值,本文中采用了Sol-gel法制备多层膜的方法,XRD和AES表明多晶BaTiO<,3>/SrTiO<,3>多层膜较好的沉积于Pt/Ti/SiO<,2>/Si的衬底上.研究表明,利用多晶BaTiO<,3>/SrTiO<,3>多层膜相对于同厚度的Sa<,0.5>Sr<,0.5>TiO<,3>,BaTiO<,3>,SrTiO<,3>,薄膜存在明显的介电系数增强效应,同时保持了较低的介电损耗.在频率为10kHz和室温时,BaTiO<,3>,SrTiO<,3>,BaTiO<,3>（66nm）/SrTiO<,3>（66nm）和BaTiO<,3>（33nm）/SrTiO<,3>（33nm）的介电系数分别为348,270,422and660,损耗为0.0278,0.0291,0.0281and0.033.研究同时表明,BaTiO<,3>/SrTiO<,3>多层膜与单层膜的介电频率色散程序、C-V特性和介电系数与温度的关系均略有不同.文中还分析了溶胶-凝胶法制备BaTiO<,3>/SrTiO<,3>多层膜的介电增强效应形成的机理,认为介电增强是源于Maxwell-Wagner效应.
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