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有机电致发光器件(OLED)具有低压直流驱动、主动发光、色彩丰富、视角宽、重量轻、能耗低以及响应速度快等诸多优点,被认为是新一代平板显示器的有力竞争者,其在照明光源和光电耦合器领域也具有诱人前景。经过二十多年的研究,有机电致发光技术得到了长足发展,产品化EL显示器件不断出现,然而由于部分关键问题未能得到解决,致使现有器件寿命短、效率低。目前,提升器件效率主要有两方面的工作在做:提高材料效率;改进器件制备工艺,设计新型结构器件。本文从改进器件结构这一研究方向出发,设计了两套实验方案:1.借鉴已有关于LiF等绝缘材料对OLED性能影响的研究,在器件设计中引入MgF2,系统研究了MgF2插层位置、插层厚度变化对器件性能的影响。首先利用MgF2修饰阴极,制作了器件结构为ITO / NPB / Alq3 / MgF2 / Al,MgF2厚度分别为0.5nm、0.8nm、1.0nm的一组EL器件,研究发现:MgF2厚度的改变对器件性能有很大影响,MgF2厚度为0.8nm的器件与其他两个器件相比,性能最优,器件启亮电压降低到2.1V,最大亮度达到1682cd/m2,电流效率和流明效率分别为1.14cd/A、1.48lm/W;其次我们将MgF2穿插在空穴传输层NPB中,制作了器件结构为ITO / NPB(10nm)/ MgF2(0nm、0.5nm、1.0nm、1.5nm)/ NPB(20nm)/ Alq3(30nm)/ Al(30nm)的一组器件,测试结果表明:合适厚度的MgF2可有效降低器件启亮电压,提高器件效率。本实验中MgF2厚度0.5nm的器件启亮电压只有2.3V,较未穿插MgF2器件降低2V;MgF2厚度1.0nm的器件最大电流效率达到0.86cd/A,最大流明效率达到0.52 lm/W,较未穿插MgF2器件分别提高43%和174%。2.从降低启亮电压、稳定器件性能的目的出发,设计了一种界面交互穿插结构器件。新器件将功能层间平直形界面设计为矩形凹凸穿插状,提高了电子注入、传输效率,实现了器件性能提升。实验系统研究了界面交互穿插数目、厚度对器件性能的影响,得出结论:随着交互穿插数目的增加,器件启亮电压降低、发光效率提高,同时,穿插厚度的变化对器件性能有很大影响。所制备器件中,交互穿插厚度7nm、穿插数目3的器件性能最优,启亮电压较普通结构器件降低1V,最大电流效率提高34%,且稳定性显著提高。