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稀土掺杂氧化镓发光材料的研究已被很多国内外研究者们所关注,主要是因其在固体激光器、光激发器件、光放大器以及光波导等区域的新颖应用。基质材料的选取会直接影响到稀土发光材料的性能,故选择合适的基质材料是至关重要的。本文所探讨研究的氧化镓材料具有良好的热、化学稳定性,是目前已知的TCO材料中禁带宽度最大的半导体氧化物,带隙约为4.9eV,这使之易于发现或者激发出紫外、可见、近红外光谱,这一特性将使氧化镓成为良好的稀土发光材料的基质。本文采用磁控溅射的方法分别制备了β-Ga2O3薄膜和稀土掺杂的Ga