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金属碲化物因其优异的热电性能和光学性能,在众多领域具有十分广阔的应用前景。近年来经理论和实验证实Bi2Te3是性能优越的拓扑绝缘体从而引起人们的广泛关注,并且发现拓扑绝缘体异质结存在许多新颖的界面效应,如磁近邻效应和超导近邻效应等。Bi2Te3基复合物的制备是界面效应研究的重要课题,也是复合物研究的关键。目前金属碲化物的研究主要以纳米材料为主,且对于金属碲化物复合物的研究尤为缺乏。本论文重点就金属碲化物NiTe2单晶和Bi2Te3/NiTe2多晶复合物的合成方法及荧光拉曼光谱做了很多探索性的研究。本论文主要工作归纳如下：1.采用固相反应法成功制备了长×宽约为6mm X 5mm的大块NiTe2单晶样品,这是我们所见报道中最大的单晶样品；大角度范围内的XRD精修得出样品空间群为R3m1(164),晶胞参数a=b=3.871A, c=5.308A, α=β=90°,γ=120°;其层状特性及晶胞参数由SEM及HRTEM进一步表征,且和XRD测量结果一致。EDS结果分析表明样品成分和设定化学式基本相符。这些结果充分说明了样品为单相高质量单晶。2.首次对NiTe2小块单晶样品进行了荧光拉曼表征。与纳米样品不同,荧光测试表明在280nm光波的激发下,NiTe2小块单晶样品在327nm(3.8eV)处有一个发射峰。我们推测样品的荧光效应主要是由表面态引起的。拉曼测试结果显示NiTe2单晶样品存在三个拉曼峰：1121.27cm-1,2101.86cm-1,2164.98cm"1,高斯拟合数据证明单晶样品半峰宽较窄,结晶性好。3.采用两步法成功制备了Bi2Te3/NiTe2多晶复合物,对样品进行了XRD、SEM、 EDS表征。结果显示两步法制备出的复合物样品成分分布均匀且无杂相。实验探究表明复合物最佳烧结条件为：500℃,24h,高真空度。实验证明两步法可以实现对复合物成分的可控性,这为界面相的研究提供了方便,也为块体复合物的制备提供了一种新的途径。4.首次对Bi2Te3/NiTe2复合物多晶样品进行了荧光拉曼表征。荧光测试表明在280nm光波的激发下,复合物存在两个发射峰分别位于约306nm(4.1eV)和330nm(3.8eV),其中330nm处发射峰是由NiTe2样品的荧光效应引起的。与原材料不同,在Bi2Te3界面效应的作用下,复合物的荧光强度增高。拉曼测试结果显示,Bi2Te3/NiTe2复合物样品含有七个拉曼峰：52.15cm"1,90.75cm-1,108.18cm-1,125.64cm-1,1115.33cm-1, 2096.57cm-1,2159.74cm-1,其中前四个峰位对应Bi2Te3样品,后三个峰位对应NiTe2样品。此外,由于界面效应的影响复合物与原材料的拉曼光谱存在不同程度的红移(范围在5～1Ocm-1之间)。