随着微电子技术的发展，对芯片集成度的要求进一步提高，为实现密度更高，速度更快的目标，发展器件的多功能化已成为研究的热点与趋势。多铁性材料正是这样一种材料。本文就以BiMnO3多铁性薄膜为主要研究对象，研究了衬底、沉积温度等对薄膜的结构和磁性的影响。并自建Sawyer-Tower电路，对Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜的电滞回线进行了表征。　　 (1)利用脉冲激光沉积在几种不同单晶衬底上制备了BiMnO3薄膜，优化沉积参数获得了沿<010>取向的单相外延薄膜。使用X射线衍射、X射线光电子谱和磁性测量等手段分析了薄膜的微结构、价态、成分和磁学性质。发现相对低的沉积温度易导致Bi2O3杂相，而低氧压及靶材与衬底间的距离适当拉大有利于抑制Bi2O3。当沉积温度升高，薄膜的单胞体积逐渐下降，归因于Bi空位的增多。证实了薄膜(010)面内的四次对称结构。薄膜的铁磁转变温度大概为95K，比块体BiMnO3略有下降，归因于薄膜成分相对于化学计量比的偏移。薄膜中出现的Mn2+归于氧空位的存在。并发现在较高温度下沉积的薄膜的饱和磁化率较大。　　 (2)为了建立双脉冲电滞回线测量系统，先期搭建了一套Sawyer-Tower测量电路，并研究了组分梯度Bi4-xNdxTi3O12铁电薄膜极化偏移现象。发现在室温下Bi4-xNdxTi3O12薄膜没有明显的极化偏移现象，但当温度升高到150℃以上，Bi4-xNdxTi3O12薄膜的极化偏移现象变得非常明显，实验上证实了极化偏移跟组分梯度没有直接联系，而是由薄膜漏电流的不对称造成的。