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非晶硅太阳电池是太阳电池中重要类别之一,构成非晶硅（a-Si:H）太阳电池的材料主要有:a-Si:H薄膜、透明电极以及金属电极材料。其中,透明电极材料通常为透明导电氧化物（TCO）薄膜,它影响入射光的光损以及光生载流子的抽取;a-Si:H薄膜影响光的吸收系数、光稳定性以及光学带隙。可见,优化TCO以及a-Si:H薄膜对a-Si:H太阳电池的光电转化效率有着重要影响。针对TCO,首先,采用热反应蒸发沉积法制备氧化铟锡（ITO）薄膜,在沉积过程中对衬底加热,使ITO有更好的结晶。热反应蒸发所用材料是InSn合金,比例为90%In+10%Sn。在蒸发过程中,蒸发电流为65 A、衬底温度为110℃以及通入流速为230 sccm之氧气,以控制ITO的沉积速率,获得结晶性良好的40nm ITO薄膜,在可见光范围内平均透过率为87.36%以及方块电阻为1 kΩ/sq。其次,通过结合激光脉冲沉积（PLD）方法与磁控溅射法制备出高透过率（95.8%）、低电阻（6.8Ω/sq）的AZO/Ag/AZO（AAA）三层导电膜,并将其作为前电极用于CIGS太阳电池中。在模拟的AM1.5标准光源的照射下,该太阳电池转化效率为6.3%。与相同厚度下单层AZO（80 nm）CIGS太阳电池相比,短路电流由17.62mA/cm2提升到25.32 mA/cm2,效率提升48%,可大幅减少AZO的使用,降低生产成本。针对非晶硅太阳电池,首先,采用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）制备不同氢稀释度（RH）下的本征非晶硅薄膜吸收层,探究氢稀释度对其光学带隙、光暗电导、光稳定性等方面的影响。在RH=5时,得到非晶硅带隙约为1.9 eV的非晶硅太阳电池,测得其输出参数为Voc=0.875V,Jsc=15mA/cm2,FF=66.7%,Eff=8.98%。其次,在FTO为衬底的单结非晶硅太阳电池中,用ITO/Ag/ITO（IAI）三层复合导电膜做背反层,以提高电池开路电压以及转化效率。采用CO2等离子体处理ITO表面,使其获得更高的表面能,提供富-OH键的环境,由此改变了Ag的生长模型。在此衬底上制备IAI复合导电膜时,可将Ag附着在ITO表面,制备出5 nm厚连续成膜的Ag薄膜。此薄膜会大幅降低短波处对光的等离子共振吸收,在可见光范围内,使薄膜的平均光学透过率达到92.7%。进而将此结构用于非晶硅电池的背反层,Jsc提高了0.5 mA/cm2,Voc提高了20 mV,电池效率提高到8.68%。将不同稀释浓度的银纳米线（Ag NW）喷涂在FTO玻璃衬底上,探究Ag NW对FTO的光学透过的调制。在Ag NW稀释比例为1:50时,喷涂后的FTO可见光平均透过率为73.26%,尽管低于未喷涂FTO的平均透过率（75%）,但此样品用于非晶硅太阳电池的前TCO层,效率提高11.4%而达到7.93%,有很好的应用前景。