二十一世纪以来,因为人工智能、大数据分析的发展,信息高效化、智能化处理成为各行业技术发展的重心,是多个领域间技术融合的桥梁。国家网络安全、智能电网、物联网技术等,都离不开人工智能与大数据的支持。随之而来,大量信息数据的运算处理和存储需要先进的智能算法与硬件系统支持。传统冯·诺依曼计算构架与摩尔定律瓶颈限制了智能电子技术的发展。存储器作为计算机的基本元件之一始终被高度重视。而高效、并行的类脑神经形态计算的兴起,引发对人工突触的研究思考,人工突触作为类脑计算的重要组成元件之一,近年来广受热议。而浮栅型薄膜晶体管在研究器件材料组合与结构选用方面适应力强,且阈值电压漂移易受控制以及有可靠的电荷捕获能力,因此也频繁出现在人工突触与存储器的研究中。本文针对薄膜晶体管的未来发展趋势和需要,以浮栅结构的晶体管为基础,对人工突触、存储器等两类器件进行了研究,并对相关器件涉及的光电效应进行测试分析,做出以下研究工作:1.基于浮栅型薄膜晶体管的突触器件研究。以带二氧化硅层的硅片为衬底,用超薄、透明的原子层沉积氧化锌（4nm Zn O）与氧化铝（4nm Al2O3）作为电荷捕获层和隧穿层;以P型半导体PDVT-10作为有源层,制备了浮栅型薄膜晶体管。对晶体管进行一系列性能测试,成功模拟了包括EPSC/IPSC、PPF/PPD、LTD/LTP、STM与LTM切换等大脑记忆行为下突触可塑性的变化规律。同时,基于半导体的吸光特性,测试了光照条件下的人工突触可塑性。而且本文的人工突触随栅极电压的改变可在易失性与非易失性两种工作状态间灵活切换。所用的超薄氧化物浮栅层具有较高化学稳定性且界面平整性,与有机溶液法具有良好的兼容性,并且具有高透明度,在透明电子研究上具有优势。2.基于浮栅型晶体管的多级存储器研究。以量子点掺杂的PVP层与氧化铝（Al2O3）作为浮栅结构的捕获层和隧穿层;以P型IDTBT、N型PCBM共混半导体作为有源层,以带氧化硅的硅片为衬底制备了基于浮栅型晶体管的多级存储器。测试表明,该存储器存储窗口约60V、记忆比为10~4、保持时间可达10~4s,得益于半导体异质结的光电效应,实现了受光调制的多级信息存储。