纳米结构材料相比相应体材料性能上的差异和优势已经促成了纳米学和纳米科技的诞生，而且相互之间相辅相成。宽禁带半导体纳米结构材料作为纳米材料和宽禁带半导体的有力结合，更是受到了极大的关注，例如对宽禁带半导体纳米氧化锌(ZnO)包括制备和应用等方面的研究也成为了热点。纳米氧化锌的一个重要的应用就是作为场发射平板显示(FED)的场发射阴极材料，然而材料的生长对场发射的性能优越与否也起着尤为重要的作用。因此，本论文以不同生长方法制备不同形貌和尺寸的纳米氧化锌，并分析相应样品的场发射(FE)特性，主要内容如下： 1)采用热蒸发的方法，通过控制反应时不同的氮气和氧气气流量以及配置不同的反应源，得到了形貌和尺寸各异的氧化锌产物。用XRD、SEM分析了产物的结构和表面形貌，说明了反应时相对小的氧气流量有利于获得小尺寸的氧化锌产物，同时通过分析反应时的生长机制，得出了气-液-固(VLS)和气-固(VS)的生长模型可能分别贯穿于两种不同的产物形貌的形成过程。各种样品场发射特性也得以展示； 2)通过水热法生长纳米氧化锌，讨论了影响产物形貌和尺寸的原因。结合SEM测试和负离子配位多面体生长基元模型解释了水热法制备氧化锌的生长机理，说明了溶液的酸碱度、浓度和反应时间对产物的生长都有着重要的影响。场发射特性描述了在所选的三种样品中，相比纳米带和微米球，对称生长的棍状氧化锌具有最好的场发射特性，其开启电场和阈值电场分别为3.01V／μm和5.47V／μm； 3)分别以金膜和纳米金胶颗粒作为催化剂，用热蒸发的方法制备纳米氧化锌，衬底分别是溅射有纳米厚金膜的硅衬底以及用金胶溶液浸泡之后的多孔硅衬底，反应中应用到了VLS的生长机制。溅射金膜厚度的不同直接影响反应后金颗粒在氧化锌纳米线中位置，同时实验实现了图形化以金膜为催化剂的纳米氧化锌的生长，而且样品具有好的场发射特性。