【摘 要】
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利用在电子传输层(ALq)和空穴传输层(NPB)同时梯度掺杂rubrene的方法,形成双发光区,实现载流子的很好限制,提高了器件的发光效率.并利用DCJTB红光染料作为检测剂,确证了对于
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利用在电子传输层(ALq<,3>)和空穴传输层(NPB)同时梯度掺杂rubrene的方法,形成双发光区,实现载流子的很好限制,提高了器件的发光效率.并利用DCJTB红光染料作为检测剂,确证了对于双发光区梯度掺杂器件,主要发光区位于靠近NPB:rubrene/Alq<,3>:rubrene界面处的NPB:rubrene层一侧.主要发光区远离阴极降低了激子在阴极处的淬灭效应,提高了器件的发光效率.通过对互掺过渡层NPB:Alq<,3>掺杂rubrene,使得黄光器件的最大效率在10V达到7.96cd/A,最大亮度在35V达到49,300cd/m<2>.互掺过渡层结构中的NPB和Alq<,3>的掺杂浓度是梯度变化的,能够控制注入电子和空穴的跳跃距离,这种跳跃距离的增加导致了载流子在互掺过渡层中传输的速率的减小,增加了载流子形成激子的机会.另外,通过对比互掺渡层掺杂薄膜的PL谱与具有互掺过渡层结构的掺杂器悠扬的EL谱得出在这种具有互掺过渡层结构的掺杂器件中,载流子转移过程是主要的,它对器件的发光起主要贡献.
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