硅基热光调谐型器件的设计与仿真研究

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当前,集成光子器件和技术广泛应用于通信、信号处理、传感领域。由于绝缘层上硅(Silicon on insulator, SOI)易与CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)工艺兼容,并且具有尺寸紧凑、损耗低等优点,因而硅基光器件和芯片成为集成光子学领域的研究热点,例如硅基光栅、光开关及光分插复用器等。与此同时,随着各种网络、业务、数据传输向着灵活重构、智能化的方向发展,固定性能参数的硅基光器件在应用上受到了很大限制。因此,探索和研发可调谐硅基光器件逐渐为国内外研究人员所关注。
  本文利用SOI光波导的特性及热光效应,设计和研究了热光调谐型波导啁啾光栅、光开关、以及光分插复用器,实现了硅基波导器件的参数调谐,并进行了仿真验证。论文的主要工作如下:
  (1)基于脊波导和热光效应,设计了一种热调谐硅基啁啾波导光栅。在结构上,侧壁刻蚀的波导光栅通过改变波导的脊宽引入啁啾系数,形成了一定带宽范围内的群时延斜率。在调谐上,采用均匀热调谐提高光栅的有效折射率,使光栅的波长及群时延发生偏移,实现波长及群时延的调谐;采用梯度热调谐补偿光栅的部分有效折射率,改变光栅前后端的反射波长,实现带宽的调谐。仿真结果表明:均匀热调谐条件下反射中心波长的调谐范围为1560.7~1561.9nm,群时延的调谐范围为0~38ps;梯度热调谐条件下反射带宽的调谐范围为1~1.5nm。
  (2)基于多模干涉耦合器和热光效应,设计了一种热调谐硅基多模干涉光开关。一方面,利用多模波导的自映像效应,优化耦合器尺寸,并在其固定端口输出光信号。另一方面,通过加热影响多模波导单边调制区域的有效折射率,改变干涉区域的相位信息,实现可调谐光开关功能。仿真结果表明:多模干涉光开关在热调谐下可以实现输出端口的切换,插入损耗在2dB以内,串扰最低为-22.67dB,开关上升和下降响应时间分别为~0.6和~0.4?s。
  (3)基于马赫曾德尔干涉仪和热调谐波导光栅,设计了一种热调谐硅基光分插复用器,利用波导光栅对波长进行选择和信号上载或下载。同时,利用加热改变光栅的反射波长,实现可重构波长的分插功能。仿真结果表明:在热调谐效率为0.1nm/mW时,加热功率由0增加至80mW,获得了波长分别为1560.2nm、1562.2nm、1564.2nm、1566.2nm、1568.2nm五个分插通道。
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