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随着集成电路技术的日益发展和移动通讯市场的快速增长,以CMOS硅工艺为基础的射频集成电路得到广泛的应用。射频集成电路的所有重要子单元中都要用到螺旋电感。硅基螺旋电感的性能直接影响单元电路的整体性能,建立片上电感高频下精确快速的物理模型及提高硅基片上螺旋电感的品质因数意义深远,片上电感的研究与设计十分重要。本文详细分析了硅集成电路中螺旋电感的损耗机制及高频效应,介绍了经典的单π模型,并在单π模型基础上对其进行了改进,并推导了改进的模型中参数的计算方法。本文使用磁场仿真软件HFSS对一组电感