Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于制造绿、蓝光至紫外波段的发光器件,有极其重要的应用价值.采用低维发光层和避免极化电场的影响是目前提高GaN器件发光亮度的主要技术手段之一.该文围绕GaN基材料的生长和特性展开了研究,主要工作是采用MOCVD方法生长了GaN基量子点和A面GaN材料,利用量子点的量子限制效应,以及利用A面GaN基材料避免极化电场的影响来提高发光效率.取得了如下结果：1.提出了一种生长GaN,AlGaN和InGaN量子点的新方法--钝化低温法.2.采用钝化低温去生长了多层InGaN/GaN量子点.3.在（1102）面蓝宝石（R面）上外延生长了（1120）面（A面）的Ⅲ族氮化物,以研究极化电场对GaN基发光材料的影响.4.在（1120）GaN的低温PL谱中观测到了一系列新的发光峰.5.测量了GaN薄膜的声表面波速度（V）为5667m/s,机电耦合系数κ<2>为1.9﹪,有利于拓展GaN在声表面波器件领域中的应用.