电子系统功能和结构的日趋复杂极大地加速了电子系统性能的退化，降低了电子系统对性能退化的容忍度，而电子系统中的模拟电路因其结构和性能上的特殊性成为决定电子系统退化的主要部分，所以急切需要研究模拟电路的退化行为分析和模型建立的方法，以进行可靠性设计，为故障前的电路状态监测提供及时有效的异变分析依据，力争在故障前采取应急对策，降低故障事后维修成本，最终提高电子系统的可靠性。本文的研究工作由退化行为分析、退化模型建立和实验验证三部分构成。关于退化行为分析，元器件因工艺缺陷而不可避免的参数随时间退化现象以及模拟电路自身对元器件参数漂移的高度敏感性构成了模拟电路退化的主要因素。因此，本课题从元器件的退化机理出发，采用自底向上的分析方法，逐级向上，设计并详细分析了运放放大器的退化行为及以运放为核心的模拟电路退化行为。关于退化模型建立，本课题在退化行为分析的基础上，研究了退化行为高层次模型的建立方法。提出使用Hammerstein模型建立模拟电路的退化行为级模型，并利用建立的模型在模拟电路的自顶向下的设计过程中分析模拟电路的退化过程；同时提出一种基于灵敏度分析的模拟电路退化数学模型，简化了模拟电路的退化分析过程，便于退化可靠性设计；此外将一般的欧氏距离改进成带方向的欧氏距离用于模拟电路退化量的衡量达到了良好的效果。最后，在理论研究的基础上搭建了实际电路，分析了电路的退化过程并得到了很好的验证。