论文部分内容阅读
本文采用数值自洽计算波函数和求解力平衡方程相结合的方法，在极化光学声子散射起主要作用温区，从理论上讨论应变纤锌矿AlxGa1-xN/GaN单异质结中电子迁移率问题，考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结，计入自发极化和压电极化产生的内建电场之作用，给出界面及半空间光学声子作用下电子迁移率随Al组分，势垒厚度及温度变化的数值计算结果。
结果表明：在室温下，当势垒厚度为定值时(23nm)，电子迁移率随Al组分增加，最终趋于一稳定值，当Al组分x<0.18，高频界面声子散射对迁移率起主导作用，而当x>0.18，来自沟道区的半空间声子散射则起主导作用.结果还表明：电子迁移率随势垒厚度增加而增加，且逐步趋于一稳定值.应变和压力效应加剧电子迁移率随温度增加而降低的趋势。