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本文采用数值自洽计算波函数和求解力平衡方程相结合的方法,在极化光学声子散射起主要作用温区,从理论上讨论应变纤锌矿AlxGa1-xN/GaN单异质结中电子迁移率问题,考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结,计入自发极化和压电极化产生的内建电场之作用,给出界面及半空间光学声子作用下电子迁移率随Al组分,势垒厚度及温度变化的数值计算结果。
结果表明:在室温下,当势垒厚度为定值时(23nm),电子迁移率随Al组分增加,最终趋于一稳定值,当Al组分x<0.18,高频界面声子散射对迁移率起主导作用,而当x>0.18,来自沟道区的半空间声子散射则起主导作用.结果还表明:电子迁移率随势垒厚度增加而增加,且逐步趋于一稳定值.应变和压力效应加剧电子迁移率随温度增加而降低的趋势。