【摘 要】
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ZnO是一种直接带隙的半导体,禁带宽度为3.37 eV,在光催化域中ZnO与传统TiO_2光催化材料具有类似的带隙和光催化机制,被认为是光催化剂的一种理想候选材料之一,同时ZnO具有良好的化学稳定性、无毒环保、量子效率高、优异的氧化能力和制备成本低且无二次污染等优点,其晶体结构具有各向异性,容易获得形貌各异和光催化性能优异的粉体,因此ZnO一直被当作良好的光催化剂并被广泛使用。同时,为了实现在外加
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ZnO是一种直接带隙的半导体,禁带宽度为3.37 eV,在光催化域中ZnO与传统TiO_2光催化材料具有类似的带隙和光催化机制,被认为是光催化剂的一种理想候选材料之一,同时ZnO具有良好的化学稳定性、无毒环保、量子效率高、优异的氧化能力和制备成本低且无二次污染等优点,其晶体结构具有各向异性,容易获得形貌各异和光催化性能优异的粉体,因此ZnO一直被当作良好的光催化剂并被广泛使用。同时,为了实现在外加磁场下的可磁性分离与回收,避免二次污染,我们引入了铁酸锌这一光催化剂,ZnFe_2O_4作为对可见光敏感
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