柔性射频硅二极管和开关的弯曲态应力影响分析

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随着科技的发展,柔性电子以其独特的优势出现在人们的视野。柔性电子是制作在柔性衬底上的电子及电路,可以随着应用场所不同而进行各种需要的弯曲。随着柔性电子研究的不断深入,其应用频率也在不断提升。与传统的硬质电子相比,柔性电子变得越来越有竞争力,柔性电子将是未来电子产业发展的重要方向。高速柔性电子仍处于起步阶段,还较少投入量产,原因是其稳定性还没有得到充分有力的证明。为了解决这一难题,也为了满足柔性电子的各种弯曲性需求,对柔性电子的弯曲应力做了一系列的分析,并结合其射频电学特性,进行相关的影响分析。用有效可靠的有限元软件仿真分析法来对柔性射频电子器件进行研究,是解决当前难题的有效方法。本文研究的是基于有限元应力仿真软件ABAQUS,对柔性PET衬底上的单晶硅纳米薄膜二极管和开关器件进行柱面弯曲建模和应力仿真。研究发现不同仿真软件、网格划分质量和载荷施加精度均会影响仿真结果及精度;随着器件弯曲半径的减小(77.5/38.5/28.5/21 mm),器件所受应力变大(分别为178/357/492/601MPa);随着器件尺寸的变大,器件所受应力变大;有无薄胶层对应力仿真结果基本无影响(5 MPa以内);在文中所示的弯曲方向上,器件的S21参数随应力增加而变大,射频特性变好。80μm2二极管在21 mm弯曲半径下所受应力比38.5mm弯曲半径下所受应力约增加110 MPa,二极管S21参数增大约0.15 dB。本文中应力会导致器件沿电流方向的空穴迁移率升高,本征区电阻和串联寄生电阻减小,进而导致射频S21参数升高。这些结果和分析会对将来柔性电子制作尺寸的设计及使用稳定性提供理论上的指导。
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