随着空间技术及核技术的快速发展，电子系统越来越多的用于辐射环境中。辐射环境对电子系统中的器件有着强烈的影响，这些影响会大大降低工作在空间辐射环境中的半导体器件和集成电路的可靠性，导致电子系统异常或失效，航天器寿命缩短，甚至会导致灾难性的事故。集成稳压器具有重量轻、体积小、运行可靠、使用方便和价格低等优点，广泛应用于航天、航空、海军等国防及其他各个领域的电子系统中。研究发现，含有线性集成稳压器的电子系统在辐照环境下的失效，主要是因为其内部构成元件即双极晶体管在辐射条件下性能衰减造成的，因此，对集成稳压器中双极晶体管的辐射性能进行有效的研究分析，对于提高航天器的可靠性具有深远的意义。本文的研究工作和成果如下：1.研究了集成稳压器及其中双极晶体管的工作原理、版图设计和制作工艺，针对集成稳压器的电离辐照效应，确定陪测样片中双极晶体管的类型。根据集成稳压器和双极晶体管的电离辐照效应，制定了辐照实验方案。2.分析了集成稳压器中双极晶体管在电离辐射条件下的总剂量电离辐照效应，对NPN型晶体管和PNP型晶体管的不同失效机理进行理论分析。根据氧化层电荷测量实验和不同温度条件下的退火实验验证了两种不同类型晶体管的不同失效机理。3.探究了几种提高集成稳压器中双极晶体管的抗电离辐照性能的措施，包括掺杂工艺、氧化工艺和钝化工艺，并对双极晶体管的版图进行调整。对提出的各项加固措施进行实验验证，为PN结隔离集成稳压器抗辐照技术提供了理论和实验依据。4.对辐照后的双极晶体管进行了常温和不同温度点的高温退火实验，进一步分析了双极晶体管的电离辐照损伤机理。