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研究背景与目的:心肌缺血/再灌注损伤(ischemia reperfusion injury,I/RI)可加重急性心肌梗死患者心脏的损伤。缺血/再灌注损伤发生时,缺氧、钙超载、自由基增多等多种因素,可诱发内质网应激(endoplasmic reticulum stress,ERS)。以往研究证实内质网应激是心肌缺血/再灌注损伤的重要机制之一,抑制过度的内质网应激可减轻心肌的损伤,被认为是一种潜在的治疗靶点。去天门冬氨酸血管紧张素Ⅰ(des-aspartate-angiotensinⅠ,DAA-Ⅰ)是一种有生物学活性的内源性肽,可对抗血管紧张素Ⅱ的病理生理学作用,通过抑制炎症反应,可减轻心肌的缺血/再灌注损伤。我们前期研究证实,DAA-Ⅰ对缺血/再灌注过程中的心肌微血管内皮细胞有保护作用,内质网应激参与其中,但其具体分子机制尚不清楚。本研究将对其可能的分子机制进行探讨,为其临床应用实验室依据。方法:1.分离和培养大鼠的心肌微血管内皮细胞,建立模拟缺血/再灌注损伤的细胞模型。进行随机化分组,实验分为对照组、模拟缺血/再灌注损伤组(SI/R组)、模拟缺血/再灌注损伤+4-苯基丁酸钠(4-PBA,内质网应激抑制剂)组、模拟缺血/再灌注损伤+DAA-I组、模拟缺血/再灌注损伤+DAA-I+Compound C(AMPK特异性抑制剂)组。2.用MTT法检测细胞增值能力,用TUNEL法检测细胞凋亡。3.采用Western blot法检测GRP78、CHOP、AMPK蛋白表达和磷酸化水平。结果:1.成功地进行了心肌微血管内皮细胞的分离及培养,并建立起模拟缺血/再灌注损伤的细胞模型。2.模拟缺血/再灌注损伤对细胞增殖能力和凋亡的影响。SI/R组的细胞增值能力比对照组的明显下降(P<0.05),细胞凋亡率明显增加(4.02%±0.85%比26.21%±2.97%,P<0.05)。与SI/R组比较,SI/R+4-PBA组CMECs细胞增值能力明显升高(P<0.05),SI/R+DAA-I组CMECs凋亡率明显降低(26.21%±2.97%比16.18%±2.93%,P<0.05),而SI/R+DAA-I+Compound C组CMECs凋亡率略微降低,但仍具有统计学意义(26.21%±2.97%比21.68%±3.37%,P>0.05)。3.模拟缺血/再灌注损伤对GRP78、CHOP、AMPK蛋白表达和磷酸化水平的影响。SI/R组GRP78、CHOP蛋白表达比对照组明显升高(P<0.05),p-AMPK稍升高。与SI/R组比较,SI/R+4-PBA组GRP78、CHOP蛋白表达明显降低(P<0.05);SI/R+DAA-I组GRP78、CHOP蛋白表达明显降低(P<0.05),p-AMPK明显升高(P<0.05);SI/R+DAA-I+Compound C组GRP78、CHOP蛋白表达轻度降低(P<0.05),p-AMPK水平升高(P<0.05),但低于SI/R+DAA-I组(P<0.05)。结论:内质网应激参与大鼠心肌微血管内皮细胞的缺血/再灌注损伤,去天门冬氨酸血管紧张素Ⅰ可显著抑制CMECs缺血/再灌注损伤过程中的内质网应激,其分子机制可能与激活AMPK途径相关。