利用常压MOCVD法在单晶Si（100）和单晶Al₂O₃（001）基片上生长了TiO₂薄膜,研究了基片温度和退火温度对薄膜结构和形貌的影响,研究了TiO₂薄膜的光学性质。利用常压CVD法在制备的多晶金红石型TiO₂薄膜上制备了CrO₂薄膜,并对其结构、形貌以及磁性进行了研究。利用XRD、SEM以及AFM对在不同沉积温度下,在单晶Si（100）上生长的TiO₂薄膜进行分析。发现薄膜是多晶锐钛矿结构,薄膜表面平整,结构致密、均匀。不同沉积温度对薄膜晶粒大小有影响。研究了退火温度对TiO₂薄膜结构和形貌影响。随着退火温度升高,薄膜结构逐渐由锐钛矿相转变成金红石相。经过高温退火后,薄膜晶粒明显增大。利用紫外-可见光吸收光谱仪,对在单晶Al₂O₃（001）基底上生长的多晶TiO₂薄膜进行了光学性质分析。利用常压CVD法,在多晶金红石型TiO₂薄膜上生长CrO₂薄膜,利用XRD和SEM对其结构和形貌研究。我们发现在同构TiO₂薄膜基底上可以生长出较高质量的多晶CrO₂薄膜。利用VSM对多晶CrO₂薄膜的磁性做了研究。薄膜呈现典型的铁磁特性和面内各向异性。采用四探针法,对薄膜的磁电阻做了研究。发现薄膜在常温下呈现负磁电阻效应。