白光发光二极管（WLEDs）因其高效节能、绿色环保、寿命长等优点被誉为下一代照明光源。荧光粉作为白光发光二极管实现荧光转换的核心材料。其发光性能是体现白光发光二极管作用的重要因素之一。然而,在多相混合荧光粉体系中,由于不同荧光粉间存在相互吸收及物化性能的固有差异等问题,导致白光发光不稳定。因此开发发光性能优异单相白光发光材料迫在眉睫。这其中,基质材料和发光中心的选择至关重要。据研究,复合基团可以为不同的发光中心提供良好的晶体场环境,同时具有良好的色彩平衡能力,因此我们选择含有复合基团的基质材料作为研究对象,选择具有良好发光性能的Ce³⁺、Mn²⁺、Tb³⁺、Eu²⁺和Eu³⁺等发光离子作为发光中心进行研究。在本文工作中,我们采用传统的高温固相法合成复合基团单相白光荧光粉,同时,研究了以Al粉为还原剂的拓扑化学反应法（非接触式Al还原法）调控单相白光荧光粉发光性能的机理。本文主要研究内容如下:（1）在该实验中,我们提出含有复合基团[SiO₄^4-]和[BO₃^3-]为基质材料荧光粉的设计理念,运用高温固相法合成了在338 nm激发下的复合基团单相白光荧光粉Ca₁₁（SiO₄）₄（BO₃）₂:Ce³⁺,Mn²⁺,Tb³⁺。同时对其量子效率和热稳定性等光学性能进行分析。最后将荧光粉进行封装,在365 nm光源的激发下得到Ra=92.2的LED器件。（2）我们采用拓扑化学反应法合成了Ca₂Si₄O₇F₂:Eu²⁺荧光粉。通过PL/PLEX、X射线光电子能谱等光谱分析,证实了拓扑化学反应法还原荧光粉,可以去除基质材料中局域微量氧原子,利用不同的还原时间和温度可以实现氧空位的调控,进而影响Eu²⁺离子所处的晶体场环境,实现光谱位置和强度的调控。