目前,栅控功率器件作为主流功率开关器件被广泛应用于电磁加热、机车牵引、智能电网等电力电子领域。而MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)与IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为栅控功率器件的两大主流器件,其发展代表着功率器件发展的主流方向。然而,随着栅控功率半导体器件向着更大功率以及更高频率的方向发展,对其可靠性也提出了更为苛刻的指标和要求。众多失效模式也在应用中凸显出来,其中一种便是栅控功率器件过渡区在感性负载下的过流关断失效。为此,本文在国外相关论文的研究基础之上,结合仿真分析,针对过渡区过流失效进行了更深入的研究,另一目的也是为了引起国内相关企业和研究机构对功率器件可靠性研究的重视。本论文工作包含以下几个方面:1、首先借助TCAD软件,通过仿真确定了栅控功率器件过渡区在感性负载下过流关断过程中的热失效情况。并详细讨论关断过程中过渡区内部的物理参数如电流、电压以及温度的动态变化情况。2、从器件物理层面揭示过渡区感性负载下关断过程中过流失效的原因,并分析了过渡区内局部电流聚集引起的温升以及动态雪崩等现象。3、在上述基础之上,提出了过渡区在过流关断过程中的二维热传导模型,通过分析得出了过渡区在温升上升阶段流进的电流作恒流处理的思路,从而简化了对热模型温度的求解。4、针对过渡区局部过热现象,结合现有工艺平台,提出了一款RC-IGBT终端结构方案,经优化后该结构可以显著缓解过渡区局部的电流集中从而有效改善热应力过大的影响,为下一步的流片验证提供理论与技术支持。